maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDH44N50
Référence fabricant | FDH44N50 |
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Numéro de pièce future | FT-FDH44N50 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FDH44N50 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 44A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 108nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5335pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 750W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDH44N50 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDH44N50-FT |
GP2M008A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060PGH
Global Power Technologies Group
GP1M009A090N
Global Power Technologies Group
GP1M010A080N
Global Power Technologies Group
GP1M016A060N
Global Power Technologies Group
GP1M020A050N
Global Power Technologies Group
GP1M020A060M
Global Power Technologies Group
GP1M020A060N
Global Power Technologies Group
GP1M023A050N
Global Power Technologies Group
GP2M009A090NG
Global Power Technologies Group
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel