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Global Power Technologies Group GP1M010A080N

Name: GP1M010A080N
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP1M010A080N
Availability: InStock
Rating: 4.7 (666 reviews)

Numéro de pièce MFG: GP1M010A080N

quantité disponible: 75950 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Global Power Technologies Group

Brève description: - MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: GP1M010A080N.pdf

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GP1M010A080N Caractéristiques

Référence fabricant	GP1M010A080N
Numéro de pièce future	FT-GP1M010A080N
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
GP1M010A080N Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2336pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	312W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-3PN
Paquet / caisse	TO-3P-3, SC-65-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP1M010A080N Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	GP1M010A080N-FT

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