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Référence fabricant | FDH50N50-F133 |
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Numéro de pièce future | FT-FDH50N50-F133 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UniFET™ |
FDH50N50-F133 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 48A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6460pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 625W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDH50N50-F133 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDH50N50-F133-FT |
GP1M023A050N
Global Power Technologies Group
GP2M009A090NG
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GP2M011A090NG
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GP2M012A080NG
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GP2M020A050N
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GP2M020A060N
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GP2M023A050N
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GP1M003A050FG
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GP1M003A080FH
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GP1M004A090FH
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A3PE600-2FGG484I
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M1A3P600-2PQ208
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LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
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EP3SE260F1152I3
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EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
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