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Global Power Technologies Group GP2M012A080NG

Name: GP2M012A080NG
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP2M012A080NG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (547 reviews)

Numéro de pièce MFG: GP2M012A080NG

quantité disponible: 44210 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Global Power Technologies Group

Brève description: - MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: GP2M012A080NG.pdf

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GP2M012A080NG Caractéristiques

Référence fabricant	GP2M012A080NG
Numéro de pièce future	FT-GP2M012A080NG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
GP2M012A080NG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	79nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3370pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	416W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-3PN
Paquet / caisse	TO-3P-3, SC-65-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP2M012A080NG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	GP2M012A080NG-FT

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