maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FCH47N60-F085
Référence fabricant | FCH47N60-F085 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FCH47N60-F085 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ |
FCH47N60-F085 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 47A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79 mOhm @ 47A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 417W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH47N60-F085 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FCH47N60-F085-FT |
GP1M009A090N
Global Power Technologies Group
GP1M010A080N
Global Power Technologies Group
GP1M016A060N
Global Power Technologies Group
GP1M020A050N
Global Power Technologies Group
GP1M020A060M
Global Power Technologies Group
GP1M020A060N
Global Power Technologies Group
GP1M023A050N
Global Power Technologies Group
GP2M009A090NG
Global Power Technologies Group
GP2M011A090NG
Global Power Technologies Group
GP2M012A080NG
Global Power Technologies Group
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel