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ON Semiconductor FCH190N65F-F085

Name: FCH190N65F-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCH190N65F-F085
Price: 3.866328 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (518 reviews)

Numéro de pièce MFG: FCH190N65F-F085

quantité disponible: 28560 Pièces

Prix de référence: USD 3.866328

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FCH190N65F-F085.pdf

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FCH190N65F-F085 Caractéristiques

Référence fabricant	FCH190N65F-F085
Numéro de pièce future	FT-FCH190N65F-F085
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
FCH190N65F-F085 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3181pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	208W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCH190N65F-F085 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FCH190N65F-F085-FT

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