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Infineon Technologies IAUT260N10S5N019ATMA1

Numéro de pièce MFG
IAUT260N10S5N019ATMA1
quantité disponible
50520 Pièces
Prix de référence
USD 2.297728
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™-5 MOSFET75V120V
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IAUT260N10S5N019ATMA1.pdf
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IAUT260N10S5N019ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IAUT260N10S5N019ATMA1
Numéro de pièce future FT-IAUT260N10S5N019ATMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™-5
IAUT260N10S5N019ATMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 260A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 210µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 166nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11830pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-HSOF-8-1
Paquet / caisse 8-PowerSFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUT260N10S5N019ATMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IAUT260N10S5N019ATMA1-FT

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