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Infineon Technologies IPI65R420CFDXKSA1

Numéro de pièce MFG
IPI65R420CFDXKSA1
quantité disponible
41710 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IPI65R420CFDXKSA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPI65R420CFDXKSA1
Numéro de pièce future FT-IPI65R420CFDXKSA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolMOS™
IPI65R420CFDXKSA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 8.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 340µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 83.3W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur PG-TO262-3
Paquet / caisse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI65R420CFDXKSA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPI65R420CFDXKSA1-FT

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