maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPI65R660CFDXKSA1
Référence fabricant | IPI65R660CFDXKSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPI65R660CFDXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPI65R660CFDXKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 62.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI65R660CFDXKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPI65R660CFDXKSA1-FT |
IPI020N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPI023NE7N3 G
Infineon Technologies
IPI024N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI028N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI030N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI030N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI032N06N3 G
Infineon Technologies
IPI034NE7N3 G
Infineon Technologies
IPI037N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI037N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel