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Référence fabricant | IPI037N08N3GHKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPI037N08N3GHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPI037N08N3GHKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.75 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 155µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8110pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 214W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI037N08N3GHKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPI037N08N3GHKSA1-FT |
IPW50R399CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R041C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R045CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R070C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R075CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation