maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPW60R099C6FKSA1
Référence fabricant | IPW60R099C6FKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPW60R099C6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPW60R099C6FKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 37.9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.21mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 119nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 278W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R099C6FKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPW60R099C6FKSA1-FT |
IPU95R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU95R450P7AKMA1
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IPSA70R1K2P7SAKMA1
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IPP60R180P7XKSA1
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IPP80R750P7XKSA1
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IPP80R360P7XKSA1
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XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
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M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel