maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPI65R380C6XKSA1
Référence fabricant | IPI65R380C6XKSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPI65R380C6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPI65R380C6XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI65R380C6XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPI65R380C6XKSA1-FT |
IPI075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI100N06S3L04XK
Infineon Technologies
BUZ31H3046XKSA1
Infineon Technologies
IPI020N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPI023NE7N3 G
Infineon Technologies
IPI024N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI028N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI030N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI030N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI032N06N3 G
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel