maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPI65R110CFDXKSA1
Référence fabricant | IPI65R110CFDXKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPI65R110CFDXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPI65R110CFDXKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 31.2A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3240pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 277.8W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI65R110CFDXKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPI65R110CFDXKSA1-FT |
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