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ON Semiconductor FQD10N20LTM

Numéro de pièce MFG
FQD10N20LTM
quantité disponible
28110 Pièces
Prix de référence
USD 0.330912
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
QFET® MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FQD10N20LTM.pdf
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FQD10N20LTM Caractéristiques

Référence fabricant FQD10N20LTM
Numéro de pièce future FT-FQD10N20LTM
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries QFET®
FQD10N20LTM Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 7.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD10N20LTM Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FQD10N20LTM-FT

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