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GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263

Numéro de pièce MFG
GA10SICP12-263
quantité disponible
41370 Pièces
Prix de référence
USD 22.33392
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Date d'expédition
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fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
- TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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GA10SICP12-263 Caractéristiques

Référence fabricant GA10SICP12-263
Numéro de pièce future FT-GA10SICP12-263
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
GA10SICP12-263 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET -
La technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1403pF @ 800V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D2PAK (7-Lead)
Paquet / caisse TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GA10SICP12-263 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange GA10SICP12-263-FT

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