maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / GA10SICP12-263
Référence fabricant | GA10SICP12-263 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GA10SICP12-263 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GA10SICP12-263 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 25A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 170W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK (7-Lead) |
Paquet / caisse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA10SICP12-263 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GA10SICP12-263-FT |
IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
IPLU250N04S41R7XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S41R1XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S4R7XTMA2
Infineon Technologies
IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
IPT020N10N3ATMA1
Infineon Technologies
IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
IPT111N20NFDATMA1
Infineon Technologies
IPZA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel