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Infineon Technologies IPLU300N04S4R7XTMA2

Name: IPLU300N04S4R7XTMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPLU300N04S4R7XTMA2
Availability: InStock
Rating: 4.6 (206 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPLU300N04S4R7XTMA2

quantité disponible: 87780 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 8HSOF

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPLU300N04S4R7XTMA2.pdf

IPLU300N04S4R7XTMA2 Caractéristiques

Référence fabricant	IPLU300N04S4R7XTMA2
Numéro de pièce future	FT-IPLU300N04S4R7XTMA2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IPLU300N04S4R7XTMA2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	300A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.76 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 230µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	287nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	22945pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	429W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-HSOF-8-1
Paquet / caisse	8-PowerSFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPLU300N04S4R7XTMA2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPLU300N04S4R7XTMA2-FT

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