maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / GA10JT12-247
Référence fabricant | GA10JT12-247 |
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Numéro de pièce future | FT-GA10JT12-247 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GA10JT12-247 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | - |
La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 10A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 170W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AB |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA10JT12-247 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GA10JT12-247-FT |
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