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Infineon Technologies IAUT165N08S5N029ATMA2

Name: IAUT165N08S5N029ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT165N08S5N029ATMA2
Price: 1.510168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (256 reviews)

Numéro de pièce MFG: IAUT165N08S5N029ATMA2

quantité disponible: 49160 Pièces

Prix de référence: USD 1.510168

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fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IAUT165N08S5N029ATMA2.pdf

IAUT165N08S5N029ATMA2 Caractéristiques

Référence fabricant	IAUT165N08S5N029ATMA2
Numéro de pièce future	FT-IAUT165N08S5N029ATMA2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IAUT165N08S5N029ATMA2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	165A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 108µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6370pF @ 40V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	167W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-HSOF-8-1
Paquet / caisse	8-PowerSFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUT165N08S5N029ATMA2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IAUT165N08S5N029ATMA2-FT

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