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GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263

Name: GA10JT12-263
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GA10JT12-263
Price: 16.12 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (494 reviews)

Numéro de pièce MFG: GA10JT12-263

quantité disponible: 70340 Pièces

Prix de référence: USD 16.12

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: GeneSiC Semiconductor

Brève description: - TRANS SJT 1200V 25A

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: GA10JT12-263.pdf

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GA10JT12-263 Caractéristiques

Référence fabricant	GA10JT12-263
Numéro de pièce future	FT-GA10JT12-263
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
GA10JT12-263 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	-
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1403pF @ 800V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	170W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	-
Paquet / caisse	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GA10JT12-263 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	GA10JT12-263-FT

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