maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / GA100JT12-227
Référence fabricant | GA100JT12-227 |
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Numéro de pièce future | FT-GA100JT12-227 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GA100JT12-227 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | - |
La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 160A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 100A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 800V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 535W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA100JT12-227 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GA100JT12-227-FT |
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