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GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227
- Numéro de pièce MFG
- GA100JT12-227
- quantité disponible
- 57010 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Brève description
- - TRANS SJT 1200V 160A SOT227
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- GA100JT12-227.pdf
GA100JT12-227 Caractéristiques
| Référence fabricant | GA100JT12-227 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-GA100JT12-227 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| GA100JT12-227 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | - |
| La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 160A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 100A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 800V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 535W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
| Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| GA100JT12-227 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | GA100JT12-227-FT |
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