maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMN10H170SFG-13
Référence fabricant | DMN10H170SFG-13 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DMN10H170SFG-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN10H170SFG-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 122 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 870.7pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 940mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN10H170SFG-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN10H170SFG-13-FT |
EPC2023
EPC
EPC2020
EPC
EPC2024
EPC
EPC2022
EPC
EPC2021
EPC
EPC2019
EPC
EPC2016
EPC
EPC2016C
EPC
EPC2012C
EPC
EPC2012
EPC
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.