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EPC EPC2016C
- Numéro de pièce MFG
- EPC2016C
- quantité disponible
- 88280 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.84
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- EPC
- Brève description
- eGaN® GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- EPC2016C.pdf
EPC2016C Caractéristiques
| Référence fabricant | EPC2016C |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-EPC2016C |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | eGaN® |
| EPC2016C Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18A (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 11A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 50V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | Die |
| Paquet / caisse | Die |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EPC2016C Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | EPC2016C-FT |
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