maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / EPC2016C
Référence fabricant | EPC2016C |
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Numéro de pièce future | FT-EPC2016C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eGaN® |
EPC2016C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 11A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Paquet / caisse | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2016C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EPC2016C-FT |
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