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EPC EPC2012C

Name: EPC2012C
Brand: EPC
SKU: EPC2012C
Price: 0.952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (533 reviews)

Numéro de pièce MFG: EPC2012C

quantité disponible: 67740 Pièces

Prix de référence: USD 0.952

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: EPC

Brève description: eGaN® GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: EPC2012C.pdf

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EPC2012C Caractéristiques

Référence fabricant	EPC2012C
Numéro de pièce future	FT-EPC2012C
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	eGaN®
EPC2012C Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.3nC @ 5V
Vgs (Max)	+6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	Die Outline (4-Solder Bar)
Paquet / caisse	Die
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2012C Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	EPC2012C-FT

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