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EPC2012 Image

EPC EPC2012

Numéro de pièce MFG
EPC2012
quantité disponible
63880 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
EPC
Brève description
eGaN® GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
EPC2012.pdf
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EPC2012 Caractéristiques

Référence fabricant EPC2012
Numéro de pièce future FT-EPC2012
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries eGaN®
EPC2012 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 145pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur Die
Paquet / caisse Die
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2012 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange EPC2012-FT

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