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EPC2019 Image

EPC EPC2019

Numéro de pièce MFG
EPC2019
quantité disponible
59280 Pièces
Prix de référence
USD 1.4112
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
EPC
Brève description
eGaN® GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
EPC2019.pdf
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EPC2019 Caractéristiques

Référence fabricant EPC2019
Numéro de pièce future FT-EPC2019
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries eGaN®
EPC2019 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 8.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur Die
Paquet / caisse Die
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2019 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange EPC2019-FT

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