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DMG7N65SCT Image

Diodes Incorporated DMG7N65SCT

Numéro de pièce MFG
DMG7N65SCT
quantité disponible
28480 Pièces
Prix de référence
USD 0.93488
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMG7N65SCT.pdf
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DMG7N65SCT Caractéristiques

Référence fabricant DMG7N65SCT
Numéro de pièce future FT-DMG7N65SCT
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101
DMG7N65SCT Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 7.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 886pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220AB
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG7N65SCT Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMG7N65SCT-FT

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