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Central Semiconductor Corp CTLDM8002A-M621H TR

Name: CTLDM8002A-M621H TR
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: CTLDM8002A-M621H TR
Availability: InStock
Rating: 4.9 (664 reviews)

Numéro de pièce MFG: CTLDM8002A-M621H TR

quantité disponible: 60040 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Central Semiconductor Corp

Brève description: - MOSFET N-CH 50V DFN6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: CTLDM8002A-M621H TR.pdf

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CTLDM8002A-M621H TR Caractéristiques

Référence fabricant	CTLDM8002A-M621H TR
Numéro de pièce future	FT-CTLDM8002A-M621H TR
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
CTLDM8002A-M621H TR Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	50V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	280mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.72nC @ 4.5V
Vgs (Max)	20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.6W (Ta)
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TLM621H
Paquet / caisse	6-XFDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CTLDM8002A-M621H TR Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	CTLDM8002A-M621H TR-FT

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