maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / CSD88599Q5DCT
Référence fabricant | CSD88599Q5DCT |
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Numéro de pièce future | FT-CSD88599Q5DCT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD88599Q5DCT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4840pF @ 30V |
Puissance - Max | 12W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 22-PowerTFDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 22-VSON-CLIP (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD88599Q5DCT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD88599Q5DCT-FT |
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