maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / CSD88599Q5DCT
Référence fabricant | CSD88599Q5DCT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CSD88599Q5DCT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD88599Q5DCT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4840pF @ 30V |
Puissance - Max | 12W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 22-PowerTFDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 22-VSON-CLIP (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD88599Q5DCT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD88599Q5DCT-FT |
SSM6P41FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6L16FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N15AFE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N35FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N36FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N37FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N42FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N7002BFE(T5L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6P35FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6P36FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32A-2TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQ208A
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD3E2H29I3L
Intel
EP2AGX125DF25I5N
Intel
5SGXMA9N2F45C2N
Intel
XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
EP1S25F1020C6
Intel