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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36FE,LM

Numéro de pièce MFG
SSM6N36FE,LM
quantité disponible
56700 Pièces
Prix de référence
USD 0.064
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SSM6N36FE,LM.pdf
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SSM6N36FE,LM Caractéristiques

Référence fabricant SSM6N36FE,LM
Numéro de pièce future FT-SSM6N36FE,LM
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SSM6N36FE,LM Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630 mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.23nC @ 4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 10V
Puissance - Max 150mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur ES6 (1.6x1.6)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6N36FE,LM Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SSM6N36FE,LM-FT

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