maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI3905DV-T1-GE3
Référence fabricant | SI3905DV-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI3905DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI3905DV-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.15W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3905DV-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI3905DV-T1-GE3-FT |
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