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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35FE,LM

Name: SSM6N35FE,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N35FE,LM
Price: 0.056 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (208 reviews)

Numéro de pièce MFG: SSM6N35FE,LM

quantité disponible: 55740 Pièces

Prix de référence: USD 0.056

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SSM6N35FE,LM.pdf

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SSM6N35FE,LM Caractéristiques

Référence fabricant	SSM6N35FE,LM
Numéro de pièce future	FT-SSM6N35FE,LM
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
SSM6N35FE,LM Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 3V
Puissance - Max	150mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur	ES6 (1.6x1.6)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6N35FE,LM Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SSM6N35FE,LM-FT

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