maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SSM6P36FE,LM
Référence fabricant | SSM6P36FE,LM |
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Numéro de pièce future | FT-SSM6P36FE,LM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SSM6P36FE,LM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 330mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 10V |
Puissance - Max | 150mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | ES6 (1.6x1.6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM6P36FE,LM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SSM6P36FE,LM-FT |
SI3909DV-T1-GE3
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Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
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