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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE(T5L,F

Numéro de pièce MFG
SSM6N7002BFE(T5L,F
quantité disponible
77860 Pièces
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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SSM6N7002BFE(T5L,F Caractéristiques

Référence fabricant SSM6N7002BFE(T5L,F
Numéro de pièce future FT-SSM6N7002BFE(T5L,F
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SSM6N7002BFE(T5L,F Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 17pF @ 25V
Puissance - Max 150mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur ES6 (1.6x1.6)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6N7002BFE(T5L,F Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SSM6N7002BFE(T5L,F-FT

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