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Référence fabricant | BYG10G-E3/TR |
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Numéro de pièce future | FT-BYG10G-E3/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYG10G-E3/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10G-E3/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG10G-E3/TR-FT |
VS-3EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3L45-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3N50-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF56-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5N50-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel