maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VSSAF5N50-M3/6B
Référence fabricant | VSSAF5N50-M3/6B |
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Numéro de pièce future | FT-VSSAF5N50-M3/6B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF5N50-M3/6B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 410mV @ 2.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.4mA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 850pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | DO-221AC (SlimSMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF5N50-M3/6B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VSSAF5N50-M3/6B-FT |
VF30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100SG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120SG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel