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Référence fabricant | VFT1080S-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VFT1080S-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VFT1080S-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 810mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 600µA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT1080S-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VFT1080S-M3/4W-FT |
VS-8ETH06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
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5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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