maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VF20120S-E3/45
Référence fabricant | VF20120S-E3/45 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VF20120S-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VF20120S-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.12V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 120V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF20120S-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VF20120S-E3/45-FT |
IMBD4148-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAL99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel