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Référence fabricant | BAS21-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS21-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS21-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS21-HE3-08-FT |
VS-SD823C20S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C25S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C25S30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PH6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35APF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35APF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45APS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel