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Référence fabricant | VS-SD1100C12C |
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Numéro de pièce future | FT-VS-SD1100C12C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-SD1100C12C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1400A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.31V @ 1500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 35mA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-200AA, A-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | B-43, Hockey PUK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-SD1100C12C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-SD1100C12C-FT |
VS-MBRB1045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1045TRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1045TRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1635TRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1635TRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1645PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1645TRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1645TRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB735PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB735TRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel