maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-3EJH02-M3/6B
Référence fabricant | VS-3EJH02-M3/6B |
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Numéro de pièce future | FT-VS-3EJH02-M3/6B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-3EJH02-M3/6B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 930mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | DO-221AC (SlimSMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-3EJH02-M3/6B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-3EJH02-M3/6B-FT |
VF20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel