maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VF20120SG-E3/4W
Référence fabricant | VF20120SG-E3/4W |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VF20120SG-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VF20120SG-E3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.33V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF20120SG-E3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VF20120SG-E3/4W-FT |
VS-10ETF12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF02FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF04FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF06FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
8ETL06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel