maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-10ETF12FP-M3
Référence fabricant | VS-10ETF12FP-M3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-10ETF12FP-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-10ETF12FP-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.33V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 310ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-2 Full Pack |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF12FP-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-10ETF12FP-M3-FT |
VS-SD800C45L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C04C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C08C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C16C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C25C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C32C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C04S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C08S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C10S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation