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Référence fabricant | VS-20ETS08FP-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-20ETS08FP-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-20ETS08FP-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-2 Full Pack |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETS08FP-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-20ETS08FP-M3-FT |
VS-SD1100C32C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C04S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C08S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C10S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C12S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C14S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C16S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C20S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C22S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD803C04S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel