maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VSSAF3N50-M3/6B
Référence fabricant | VSSAF3N50-M3/6B |
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Numéro de pièce future | FT-VSSAF3N50-M3/6B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF3N50-M3/6B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.7A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 400mV @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 570pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | DO-221AC (SlimSMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF3N50-M3/6B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VSSAF3N50-M3/6B-FT |
VF20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation