maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VSSAF5L45-M3/6B
Référence fabricant | VSSAF5L45-M3/6B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VSSAF5L45-M3/6B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF5L45-M3/6B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 560mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 650µA @ 45V |
Capacité @ Vr, F | 740pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | DO-221AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF5L45-M3/6B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VSSAF5L45-M3/6B-FT |
VF30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100SG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel