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Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1

Numéro de pièce MFG
BSO612CVGHUMA1
quantité disponible
74560 Pièces
Prix de référence
USD 0.356048
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
SIPMOS® MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSO612CVGHUMA1.pdf
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BSO612CVGHUMA1 Caractéristiques

Référence fabricant BSO612CVGHUMA1
Numéro de pièce future FT-BSO612CVGHUMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SIPMOS®
BSO612CVGHUMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N and P-Channel
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur PG-DSO-8
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO612CVGHUMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSO612CVGHUMA1-FT

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