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Nexperia USA Inc. PMDPB58UPE,115

Numéro de pièce MFG
PMDPB58UPE,115
quantité disponible
51600 Pièces
Prix de référence
USD 0.1564
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
- MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PMDPB58UPE,115.pdf
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PMDPB58UPE,115 Caractéristiques

Référence fabricant PMDPB58UPE,115
Numéro de pièce future FT-PMDPB58UPE,115
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PMDPB58UPE,115 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 804pF @ 10V
Puissance - Max 515mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur 6-HUSON-EP (2x2)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMDPB58UPE,115 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PMDPB58UPE,115-FT

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