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PMDPB30XN,115 Image

Nexperia USA Inc. PMDPB30XN,115

Numéro de pièce MFG
PMDPB30XN,115
quantité disponible
22350 Pièces
Prix de référence
USD 0.148584
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
- MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PMDPB30XN,115.pdf
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PMDPB30XN,115 Caractéristiques

Référence fabricant PMDPB30XN,115
Numéro de pièce future FT-PMDPB30XN,115
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PMDPB30XN,115 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21.7nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V
Puissance - Max 490mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur 6-HUSON-EP (2x2)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMDPB30XN,115 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PMDPB30XN,115-FT

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