maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / NTHD2102PT1
Référence fabricant | NTHD2102PT1 |
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Numéro de pièce future | FT-NTHD2102PT1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTHD2102PT1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 2.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 715pF @ 6.4V |
Puissance - Max | 1.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | ChipFET™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTHD2102PT1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTHD2102PT1-FT |
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