maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / MVDF1N05ER2G
Référence fabricant | MVDF1N05ER2G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MVDF1N05ER2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MVDF1N05ER2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 50V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MVDF1N05ER2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MVDF1N05ER2G-FT |
NTZD3155CT1G
ON Semiconductor
NTZD3154NT5G
ON Semiconductor
NTZD3152PT1H
ON Semiconductor
NTZD3152PT5G
ON Semiconductor
NTZD3154NT1H
ON Semiconductor
NTZD3154NT2G
ON Semiconductor
NTZD3155CT1H
ON Semiconductor
NTZD3155CT5G
ON Semiconductor
NTZD3156CT1G
ON Semiconductor
NTZD3156CT2G
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-4TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN030V2-ZUCG81I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1N
Intel
EPF10K200SFC672-2
Intel
EP3C5F256C7N
Intel
5SGXMA5N3F40C2N
Intel
LCMXO2-4000ZE-3FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7N
Intel
EP20K200EQC208-2
Intel